#IRF7473TR IOR IRF7473TR Neuer Leistungsfeldeffekt Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, SO-8, IRF7473TR-Bilder, IRF7473TR-Preis, #IRF7473TR-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/irf7473tr.html
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Hersteller-Teilenummer: IRF7473TR
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.17
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 140 mJ
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (ID): 6.9 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.026 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: MS-012AA
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 2
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 55 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: MATTES ZINN
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, SO-8
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.17
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 140 mJ
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (ID): 6.9 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.026 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JEDEC-95-Code: MS-012AA
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 2
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 55 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: MATTES ZINN
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Leistungs-Feldeffekttransistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Kanal, Silizium, Metalloxid Halbleiter FET, MS-012AA, SO-8