IORIRF7473TR在庫あり

#IRF7473TR IOR IRF7473TR 新しいパワー電界効果 トランジスタ、6.9A I（D）、100V、0.026オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、MS-012AA、SO-8、IRF7473TR 写真、IRF7473TR 価格、#IRF7473TR サプライヤー
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メーカー部品番号: IRF7473TR
Rohsコード：はい
パーツライフサイクルコード：アクティブ
Ihsメーカー：INFINEON TECHNOLOGIES AG
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PDSO-G8
ECCNコード：EAR99
メーカー：インフィニオンテクノロジーズAG
リスクランク：5.17
アバランチエネルギー定格（Eas）：140 mJ
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：100 V
ドレイン電流-最大（ID）：6.9 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.026Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物 半導体
JEDEC-95コード：MS-012AA
JESD-30コード：R-PDSO-G8
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：2
要素数：1
ターミナル数：8
動作モード：拡張モード
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：260
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
パルスドレイン電流-最大（IDM）：55 A
資格ステータス：資格なし
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：MATTE TIN
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：DUAL
Time
パワー電界効果トランジスタ、6.9A I（D）、100V、0.026オーム、1エレメント、Nチャネル、シリコン、金属酸化物 半導体 FET、MS-012AA、SO-8