#IRF7473TR IOR IRF7473TR Новый силовой полевой эффект Транзистор, 6.9A I (D), 100 В, 0.026 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое FET, MS-012AA, SO-8, изображения IRF7473TR, цена IRF7473TR, # IRF7473TR поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/irf7473tr.html
-----------------------
Номер детали производителя: IRF7473TR
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Infineon Technologies AG
Рейтинг риска: 5.17
Рейтинг энергии лавин (EAS): 140 мДж
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 100 В
Максимальный ток стока (ID): 6.9 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.026 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: MS-012AA.
Код JESD-30: R-PDSO-G8.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 2
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 8
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 55 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Силовой полевой транзистор, 6.9 А, I (D), 100 В, 0.026 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксид Полупроводниковое Полевой транзистор, МС-012АА, СО-8
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: активный
Производитель IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Infineon Technologies AG
Рейтинг риска: 5.17
Рейтинг энергии лавин (EAS): 140 мДж
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 100 В
Максимальный ток стока (ID): 6.9 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.026 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JEDEC-95: MS-012AA.
Код JESD-30: R-PDSO-G8.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 2
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 8
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Максимальный импульсный ток стока (IDM): 55 A
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Силовой полевой транзистор, 6.9 А, I (D), 100 В, 0.026 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металлооксид Полупроводниковое Полевой транзистор, МС-012АА, СО-8