#IRF7473TR IOR IRF7473TR Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 6.9 A I(D), 100 V, 0.026 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, MS-012AA, SO-8, images IRF7473TR, prix IRF7473TR, fournisseur #IRF7473TR
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/irf7473tr.html
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Numéro de pièce du fabricant : IRF7473TR
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.17
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 140 mJ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 100 V
Courant de drain-Max (ID): 6.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.026 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95 : MS-012AA
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 2
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 55 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, MS-012AA, SO-8
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.17
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 140 mJ
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 100 V
Courant de drain-Max (ID): 6.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.026 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JEDEC-95 : MS-012AA
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 2
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 55 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, MS-012AA, SO-8