#IRF7473TR IOR IRF7473TR Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 6.9A I (D), 100V, 0.026ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, MS-012AA, SO-8, imágenes IRF7473TR, precio IRF7473TR, proveedor # IRF7473TR
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: IRF7473TR
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 5.17
Clasificación energética de avalancha (Eas): 140 mJ
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 6.9 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.026 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: MS-012AA
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 2
Número de elementos: 1
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 55 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 6.9A I (D), 100V, 0.026ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, MS-012AA, SO-8
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 5.17
Clasificación energética de avalancha (Eas): 140 mJ
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 6.9 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.026 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: MS-012AA
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 2
Número de elementos: 1
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 55 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 6.9A I (D), 100V, 0.026ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, MS-012AA, SO-8