NTMS5835NLR2G
#NTMS5835NLR2G ON Halbleiter NTMS5835NLR2G Neue NTMS5835NLR2G Leistung MOSFET 40 V, 12 A, 10 mOhm, Einzel-N-Kanal-SO-8-Logikpegel, SOIC-8-Schmalkörper, 2500-REEL; NTMS5835NLR2G, NTMS5835NLR2G Bilder, NTMS5835NLR2G Preis, #NTMS5835NLR2G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: NTMS5835NLR2G
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Veraltet
Ihs Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin-Anzahl: 8
Hersteller-Paketcode: 751-07
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 7.8
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 12 A
Drainstrom-Max (ID): 9.2 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.014 Ω
FET Technologie: METALLOXID-HALBLEITER
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 2.6 W.
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 mOhm, einzelner N-Kanal, SO-8-Logikpegel, SOIC-8 schmales Gehäuse, 2500 Rollen
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Veraltet
Ihs Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Teilepaketcode: SOT
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin-Anzahl: 8
Hersteller-Paketcode: 751-07
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 7.8
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 40 V.
Drainstrom-Max (Abs) (ID): 12 A
Drainstrom-Max (ID): 9.2 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.014 Ω
FET Technologie: METALLOXID-HALBLEITER
JESD-30-Code: R-PDSO-G8
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 8
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 2.6 W.
Unterkategorie: FET-Allzweckstrom
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 mOhm, einzelner N-Kanal, SO-8-Logikpegel, SOIC-8 schmales Gehäuse, 2500 Rollen
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