NTMS5835NLR2G
#NTMS5835NLR2G ON Semikonduktor NTMS5835NLR2G Kekuatan NTMS5835NLR2G Baru MOSFET 40V 12A 10 mOhm Single N-Channel SO-8 Tingkat Logika, SOIC-8 Badan Sempit, 2500-REEL; NTMS5835NLR2G , gambar NTMS5835NLR2G, harga NTMS5835NLR2G, pemasok #NTMS5835NLR2G
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nomor Bagian Pabrikan: NTMS5835NLR2G
Nama Merek: ON Semikonduktor
Kode Pbfree: Usang
Produsen Ihs: PADA SEMIKONDUKTOR
Kode Paket Bagian: SOT
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PDSO-G8
Jumlah Pin: 8
Kode Paket Pabrikan: 751-07
Kode ECCN: EAR99
Produsen: ON Semiconductor
Peringkat Risiko: 7.8
Konfigurasi: TUNGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 40 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 12 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 9.2 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.014
FET Teknologi: SEMIKONDUKTOR LOGAM-OKSIDA
Kode JESD-30: R-PDSO-G8
JESD-609 Kode: e3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban: 1
Jumlah Elemen: 1
Jumlah Terminal: 8
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 150 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: GARIS BESAR KECIL
Peak Reflow Temperature (Cel): TIDAK DITENTUKAN
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 2.6 W.
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: YA
Terminal Selesai: Timah (Sn)
Bentuk Terminal: GULL WING
Posisi Terminal: DUAL
Waktu
Daya MOSFET 40V 12A 10 mOhm Tingkat Logika SO-8 N-Channel Tunggal, Badan Sempit SOIC-8, 2500-REEL
Nama Merek: ON Semikonduktor
Kode Pbfree: Usang
Produsen Ihs: PADA SEMIKONDUKTOR
Kode Paket Bagian: SOT
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PDSO-G8
Jumlah Pin: 8
Kode Paket Pabrikan: 751-07
Kode ECCN: EAR99
Produsen: ON Semiconductor
Peringkat Risiko: 7.8
Konfigurasi: TUNGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 40 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 12 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 9.2 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.014
FET Teknologi: SEMIKONDUKTOR LOGAM-OKSIDA
Kode JESD-30: R-PDSO-G8
JESD-609 Kode: e3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban: 1
Jumlah Elemen: 1
Jumlah Terminal: 8
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 150 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: GARIS BESAR KECIL
Peak Reflow Temperature (Cel): TIDAK DITENTUKAN
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 2.6 W.
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: YA
Terminal Selesai: Timah (Sn)
Bentuk Terminal: GULL WING
Posisi Terminal: DUAL
Waktu
Daya MOSFET 40V 12A 10 mOhm Tingkat Logika SO-8 N-Channel Tunggal, Badan Sempit SOIC-8, 2500-REEL
« 1SS383T1G ACST1010-7T »