NTMS5835NLR2G
#NTMS5835NLR2G ON Halfgeleider NTMS5835NLR2G Nieuwe NTMS5835NLR2G Power mosfet 40V 12A 10 mOhm Enkel N-kanaal SO-8 Logisch niveau, SOIC-8 Smalle behuizing, 2500-REEL; NTMS5835NLR2G, NTMS5835NLR2G foto's, NTMS5835NLR2G prijs, #NTMS5835NLR2G leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Artikelnummer fabrikant: NTMS5835NLR2G
Merknaam: ON Halfgeleider
Pbfree-code: Verouderd
Ihs Fabrikant: OP HALFGELEIDER
Onderdeelpakketcode: SOT
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-G8
Aantal pinnen: 8
Pakketcode fabrikant: 751-07
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: ON Semiconductor
Risicorang: 7.8
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 40 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 12 A
Afvoerstroom-Max (ID): 9.2 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.014 Ω
FET Technologie: METAAALOXIDE HALFGELEIDER
JESD-30-code: R-PDSO-G8
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 8
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (Cel): NIET GESPECIFICEERD
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 2.6 W
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: Tin (Sn)
Terminal Form: Meeuw VLEUGEL
Eindpositie: DUAL
Tijd
Power MOSFET 40V 12A 10 mOhm Single N-Channel SO-8 Logic Level, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
Merknaam: ON Halfgeleider
Pbfree-code: Verouderd
Ihs Fabrikant: OP HALFGELEIDER
Onderdeelpakketcode: SOT
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-G8
Aantal pinnen: 8
Pakketcode fabrikant: 751-07
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: ON Semiconductor
Risicorang: 7.8
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 40 V
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 12 A
Afvoerstroom-Max (ID): 9.2 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.014 Ω
FET Technologie: METAAALOXIDE HALFGELEIDER
JESD-30-code: R-PDSO-G8
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 8
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (Cel): NIET GESPECIFICEERD
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 2.6 W
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: Tin (Sn)
Terminal Form: Meeuw VLEUGEL
Eindpositie: DUAL
Tijd
Power MOSFET 40V 12A 10 mOhm Single N-Channel SO-8 Logic Level, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
« 1SS383T1G ACST1010-7T »