NTMS5835NLR2G
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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メーカー部品番号：NTMS5835NLR2G
ブランド名：ON 半導体
Pbfreeコード：廃止
Ihsメーカー：ON SEMICONDUCTOR
パーツパッケージコード：SOT
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PDSO-G8
ピン数：8
メーカーパッケージコード：751-07
ECCNコード：EAR99
メーカー：オン・セミコンダクター
リスクランク：7.8
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：40 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：12 A
ドレイン電流-最大（ID）：9.2 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.014Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物半導体
JESD-30コード：R-PDSO-G8
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：8
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：指定なし
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力-最大（絶対）：2.6 W
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：スズ（Sn）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：DUAL
Time
出力 MOSFET 40V 12A 10 mOhm Single N-Channel SO-8 Logic Level, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
ブランド名：ON 半導体
Pbfreeコード：廃止
Ihsメーカー：ON SEMICONDUCTOR
パーツパッケージコード：SOT
パッケージの説明：SMALL OUTLINE、R-PDSO-G8
ピン数：8
メーカーパッケージコード：751-07
ECCNコード：EAR99
メーカー：オン・セミコンダクター
リスクランク：7.8
構成：内蔵ダイオード付きシングル
DSの内訳 電圧-最小：40 V
ドレイン電流-最大（Abs）（ID）：12 A
ドレイン電流-最大（ID）：9.2 A
ドレイン-ソースオン抵抗-最大：0.014Ω
FET テクノロジー: 金属酸化物半導体
JESD-30コード：R-PDSO-G8
JESD-609コード：e3
水分感度レベル：1
要素数：1
ターミナル数：8
動作モード：拡張モード
動作温度-最大：150°C
パッケージ本体材質：プラスチック/エポキシ
パッケージ形状：長方形
パッケージスタイル：小さな概要
ピークリフロー温度（Cel）：指定なし
極性/チャンネルタイプ：Nチャンネル
消費電力-最大（絶対）：2.6 W
サブカテゴリ：FET汎用電源
表面実装：はい
ターミナルフィニッシュ：スズ（Sn）
ターミナルフォーム：ガルウィング
ターミナルポジション：DUAL
Time
出力 MOSFET 40V 12A 10 mOhm Single N-Channel SO-8 Logic Level, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
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