NTMS5835NLR2G
#NTMS5835NLR2G ON Semiconductores NTMS5835NLR2G Nuevo NTMS5835NLR2G Power mosfet 40V 12A 10 mOhm Nivel lógico SO-8 de canal N único, SOIC-8 Cuerpo estrecho, 2500-REEL; NTMS5835NLR2G, imágenes NTMS5835NLR2G, precio NTMS5835NLR2G, proveedor # NTMS5835NLR2G
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de parte del fabricante: NTMS5835NLR2G
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Obsoleto
Fabricante IHS: ON SEMICONDUCTOR
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Recuento de pines: 8
Código del paquete del fabricante: 751-07
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 7.8
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 40 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 12 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 9.2 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.014 Ω
FET Tecnología: SEMICONDUCTOR DE ÓXIDO DE METAL
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 2.6 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Motor MOSFET Nivel lógico SO-40 de canal N único de 12 V, 10 A, 8 mOhm, cuerpo estrecho SOIC-8, 2500 carretes
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Obsoleto
Fabricante IHS: ON SEMICONDUCTOR
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Recuento de pines: 8
Código del paquete del fabricante: 751-07
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 7.8
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 40 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 12 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 9.2 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.014 Ω
FET Tecnología: SEMICONDUCTOR DE ÓXIDO DE METAL
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 2.6 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño (Sn)
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Motor MOSFET Nivel lógico SO-40 de canal N único de 12 V, 10 A, 8 mOhm, cuerpo estrecho SOIC-8, 2500 carretes
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