Das Gehäuse, SSO10T, verfügt über einen Spalt von 10 μm anstelle eines Wärmeleitpads auf der Leiterplattenseite, und nach Angaben des Unternehmens werden etwa 95 % der Wärme durch die Oberseite abgeführt, typischerweise zum Steuergerätegehäuse oder einer Kühlplatte.
Es wird erwartet, dass es mit einem thermischen Schnittstellenpad verwendet wird, um die Toleranz zwischen Leiterplatte und Kühlkörperoberfläche auszugleichen.
„SSO10T basiert auf dem Industriestandard SSO8“, hieß es. „Aufgrund seiner Kühlung auf der Oberseite bietet der SSO10 jedoch eine um mehr als 20 % und bis zu 50 % höhere Leistung als der Standard-SSO8 – abhängig vom verwendeten thermischen Schnittstellenmaterial und dessen Dicke.“
Da auf der Leiterplatte kein thermischer Patch und keine thermischen Durchkontaktierungen mehr erforderlich sind, geht das Unternehmen davon aus, dass bei einigen Designs einfache doppelseitige Leiterplatten verwendet werden können.
Bisher hat das Unternehmen vier Mosfets im Paket herausgebracht, alle 40-V-n-Kanal:
- IAUCN04S6N007T 0.75 mΩ 120 A (390 A) 100 nC Qg
- IAUCN04S6N009T 0.90 mΩ 120 A (330 A) 85 nC Qg
- IAUCN04S6N013T 1.32 mΩ 120 A (230 A) 52 nC Qg
- IAUCN04S6N017T 1.73 mΩ 120 A (200 A) 37 nC Qg
Alle diese Werte beziehen sich auf 25°C. 120 A ist ein Nenngrenzwert, der vom externen thermischen Design beeinflusst wird, während der Chip-Grenzwert in Klammern angegeben ist. Höhere Impulse können verarbeitet werden: Beispielsweise kann …N007T 1.3 kA für 100 μs verarbeiten.
Der Einsatz ist in bürstenlosen Gleichstromantrieben einschließlich elektrischer Servolenkung, Gleichstromwandlern, Sicherheitsschaltern und Verpolungsschutz für die Batterie vorgesehen.
Das Paket verfügt über eine JEDEC-Nummer, die die Zweitbeschaffung von Geräten ermöglicht.
Auf dieser Webseite finden Sie einige SSO10T-Informationen – das zweite Video unten ist informativ und beginnt nach ca. 4 Minuten richtig.