Sales Email: Sales@shunlongwei.com Mitsubishi PM300RSD060 Beschreibung: Das Mitsubishi PM300RSD060 ist ein fortschrittliches Intellimod-Modul, das für Anwendungen mit dreiphasigem Brems-IGBT-Wechselrichterausgang entwickelt wurde. Mit einer robusten Nennleistung von 300 Ampere und 600 Volt bietet dieses Modul leistungsstarke Leistungsumwandlungsmöglichkeiten. Wichtige Spezifikationen: Zielanwendungen: Der PM300RSD060 ist vielseitig und für verschiedene Anwendungen geeignet, darunter:
Sales Email: sales@shunlongwei.com Das Mitsubishi CM300HA-12H ist ein neues IGBT-Modul. Hier sind einige Spezifikationen für das Modul: Standardpaket: 2Kategorie: Diskrete HalbleiterprodukteFamilie: IGBTs – ModuleKonfiguration: SingleCollector-Emitter Durchbruchspannung (Max): 600 VKollektorstrom (Max): 300 ALeistung (Max): 1100 WVce(on) (Max) @ Vge , IC: 2.8 V bei 15 V, 300 A Kollektor-Abschaltstrom (max.): 1 mA Eingangskapazität (Cies) bei Vce: 30 nF bei […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Fuji 1DI300A-120 Neues IGBT-Modul Das Fuji 1DI300A-120 ist ein äußerst zuverlässiges und effizientes Hochleistungs-Schalttransistormodul aus der IGBT-Serie (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Fuji Electric. Es wurde speziell für anspruchsvolle Anwendungen in erneuerbaren Energiesystemen, Motorantrieben und verschiedenen anderen Hochleistungsanwendungen entwickelt. Mit einer Nennspannung von […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Das Mitsubishi QM300HA-2H ist ein Leistungsmodul, das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier sind einige wichtige Details zu diesem Modul: Modell: QM300HA-2HHersteller: MitsubishiPower-Modultyp: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): Typischerweise 1200VMaximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (IC): Typischerweise 300AMaximaler Spitzenkollektorstrom ( ICP): Typischerweise 600AGesamtverlustleistung (Ptot): Typischerweise 2120WGate-Emitter-Spannung […]
Sales Email: sales@shunlongwei.com Der 1MBI300SA-120B ist mit einem 1200-V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ausgestattet, der eine effiziente Leistungsschaltung ermöglicht. Er verfügt über einen Nennstrom von 300 A und ist somit für anspruchsvolle industrielle und gewerbliche Anwendungen geeignet. Mit seinem kompakten Design und der integrierten Konstruktion bietet das Modul eine einfache Installation und effiziente Raumnutzung. Der 1MBI300SA-120B […]
Das Fuji 1DI300ZN-120 ist ein neues IGBT-Modul von Fuji Electric. Es ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet zuverlässige Leistung. Hier sind einige Hauptmerkmale des IGBT-Moduls 1DI300ZN-120: Vertriebs-E-Mail: sales@shunlongwei.com Hohe Belastbarkeit: Das Modul ist in der Lage, einen maximalen Kollektorstrom (IC) von 300 A zu verarbeiten, wodurch es für […] geeignet ist.
Sales Email: sales@shunlongwei.com Hersteller-Teilenummer: 1DI300ZN-120Paketbeschreibung: Flanschmontage, R-PUFM-X5Hersteller: FujiCollector Current-Max (IC): 300 ACollector-Emitter-Spannung-Max: 1200 VKonfiguration: Darlington, 3 Transistoren mit integrierter Diode und WiderstandDC-Stromverstärkung -Min (hFE): 100Abfallzeit-Max (tf): 2000 nsJESD-30 Code: R-PUFM-X5Anzahl der Elemente: 1Anzahl der Anschlüsse: 5Gehäusematerial: Kunststoff/EpoxidharzGehäuseform: RechteckigGehäusestil: FlanschmontagePolarität/Kanaltyp: NPN-Verlustleistung Umgebungsmaximum: […]
DF30AA160 DF30AA160 DF30AA160 DF30AA160 #DF30AA160 SanRex DF30AA160 Neuer Ausgangsgleichstrom beträgt 30 A (Tc = 117 ° C) Wiederholte Spitzensperrspannung bis zu 1,600 V, DF30AA160-Bilder, DF30AA160-Preis, # DF30AA160-Lieferant ————————— ———————————- Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/df30aa160.html ——————————————————————- Power Diode Module DF30AAis designed for three phase full wave rectification, whichhas six diodes connected in a three phase bridge configuration. The […]
Verkaufe CM300DXD-24A, #Mitsubishi #CM300DXD-24A New Stock, CM300DXD-24A CM300DXD-24A Mitsubishi 300A/1200V/1800W;, #IGBT_Module, #IGBT, #CM300DXD_24A Email: sales@shunlongwei.com Das Mitsubishi CM300DXD-24A ist ein neues IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das von Mitsubishi Electric entwickelt wurde. Es wurde entwickelt, um leistungsstarke Leistungsschaltlösungen für verschiedene industrielle Anwendungen bereitzustellen. Das CM300DXD-24A-Modul verfügt über eine Nennspannung von 1200 V und einen Strom […]