Überarbeitete Beschreibung: Das Toshiba MG50J6ES50 ist ein fortschrittliches Hochleistungs-Schalttransistormodul, das speziell für Stromumwandlungs- und Motorsteuerungsanwendungen entwickelt wurde. Als Teil der MG-Serie, die für überlegene Leistung und Zuverlässigkeit bekannt ist, verfügt der MG50J6ES50 über eine Nennspannung von 600 V und einen Nennstrom von 50 A. Dieses Modul zeichnet sich dadurch aus, dass es den Leistungsverlust minimiert und […]
Das DF200AA160 ist ein Leistungsdiodenmodul, das sorgfältig für den Zweck der dreiphasigen Vollweggleichrichtung entwickelt wurde. Es enthält sechs Dioden, die in einer dreiphasigen Brückenkonfiguration miteinander verbunden sind. Insbesondere ist die Montagebasis des Moduls elektrisch von den Halbleiterelementen isoliert, was die Montage eines Kühlkörpers vereinfacht. Dieses vielseitige Modul kann effektiv einen Ausgangsgleichstrom von […] verarbeiten.
7MBR50SA060: Ein Hochleistungs-IGBT-Modul für Motorantriebs- und Stromversorgungsanwendungen Einführung: Das 7MBR50SA060 ist ein beeindruckendes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) innerhalb der renommierten S-Serie. Seine beeindruckenden Spezifikationen und Funktionen machen es zur ersten Wahl für Anwendungen, die Motorantriebsumrichter, AC- und DC-Servoantriebsverstärker und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme umfassen.
Das Fuji 6MBP150NA060 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen maximalen Nennwerten und Eigenschaften. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25°C, sofern nicht anders angegeben):
Das Semikron SKKT 570/16 E ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen elektrischen Eigenschaften und Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der bereitgestellten Informationen: Elektrische Eigenschaften: Temperaturwerte: Andere Werte:
Das Semikron SK45GH063 ist ein von Semikron hergestelltes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es ist für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert und verfügt über die folgenden Merkmale und Spezifikationen: Merkmale: Typische Anwendungen: Das IGBT-Modul SK45GH063 wird typischerweise in den folgenden Anwendungen verwendet: Absolute maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Montage: Gewicht:
Das Fuji 6MBP300KA060-01 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die Spezifikationen und Eigenschaften dieses Moduls: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Dieses Modul ist in der Lage, extrem hohe Strom- und Spannungspegel zu verarbeiten, wodurch es für Anwendungen wie industrielle Motorantriebe geeignet ist, [ …]
Das Fuji 2MBI300VB-060-50 ist ein robustes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das speziell für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier sind die detaillierten Spezifikationen dieses Moduls: Funktionen: