Das FUJI 2MBI600VN-120-50 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die schnelles Schalten und Spannungsantrieb erfordern. Hier sind die Spezifikationen und Merkmale dieses IGBT-Moduls: Merkmale: Anwendungen: Das FUJI 2MBI600VN-120-50 IGBT-Modul kann in verschiedenen Anwendungen verwendet werden, einschließlich: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (bei Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben):
Fuji 6MBI450VM-170-50 IGBT-Modul: Entfesselung erweiterter Funktionen Entdecken Sie das Fuji 6MBI450VM-170-50 IGBT-Modul, ein Kraftpaket an Leistung und Effizienz, das auf Ihre vielfältigen elektrischen Anforderungen zugeschnitten ist. Hauptmerkmale, die es auszeichnen: Anwendungen, die davon profitieren: Maximale Nennwerte und wesentliche Eigenschaften: Erleben Sie die Leistung von Fuji: Das 6MBI450VM-170-50 IGBT-Modul von Fuji bietet beispiellose Fähigkeiten für […]
Das STARPOWER GD50PIY120C5SN ist ein von STARPOWER entwickeltes IGBT-Leistungsmodul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Es ist für Anwendungen gedacht, die geringe Leitungsverluste, Kurzschlussfestigkeit und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Hier ist eine Zusammenfassung seiner Funktionen, Anwendungen und Spezifikationen: Allgemeine Beschreibung: Das STARPOWER GD50PIY120C5SN IGBT-Leistungsmodul ist so konzipiert, dass es minimale Leitungsverluste bietet […]
Das FUJI 7D50D-050EHR ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier ist eine Zusammenfassung seiner Funktionen, Anwendungen und Spezifikationen: Funktionen: Anwendungen: Spezifikationen (maximale Bewertungen): Modulinformationen:
Merkmale: Anwendungen: Spezifikationen (maximale Bewertungen):
Toshiba MG50Q6ES40 IGBT-Modul. Es ist offensichtlich, dass dieses Modul darauf ausgelegt ist, Hochleistungseigenschaften zu bieten, die für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen geeignet sind. Hier ist eine Zusammenfassung basierend auf den von Ihnen bereitgestellten Informationen: Funktionen: Spezifikationen (maximale Bewertungen): Anwendungen:
Toshiba 2MBI150UM-120-50 Modul. Es handelt sich offenbar um ein Hochleistungsmodul, das für verschiedene Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert ist. Hier ist eine Zusammenfassung der von Ihnen bereitgestellten Informationen: Funktionen: Anwendungen: Maximale Bewertungen und Eigenschaften:
Das Infineon FF800R17KE3 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Nachfolgend finden Sie die Details zu diesem Modul:
Das Fuji 2MBI600VE-120 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit spezifischen Merkmalen und Fähigkeiten, das für verschiedene leistungselektronische Anwendungen entwickelt wurde. Hauptmerkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben): Das Fuji 2MBI600VE-120 IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen wie Motorantriebe, Verstärker, Netzteile und Industriemaschinen konzipiert. Seine hohe Geschwindigkeit […]