ULTRARAM ha dado un paso más hacia el desarrollo con un exitoso experimento de físicos de Lancaster.
El profesor Manus Hayne, quien dirige la investigación, comentó: “Estos nuevos resultados confirman las asombrosas propiedades de ULTRARAM, permitiéndonos demostrar su potencial como una memoria no volátil rápida y eficiente con alta resistencia”.
Actualmente, los dos tipos principales de memoria, RAM dinámica (DRAM) y flash tienen características y roles complementarios:
- La DRAM es rápida, por lo que se usa para la memoria activa (en funcionamiento), pero es volátil, lo que significa que la información se pierde cuando se corta la energía. De hecho, la DRAM se 'olvida' continuamente y debe actualizarse constantemente.
- Flash no es volátil, lo que le permite llevar datos en su bolsillo, pero es muy lento y se desgasta. Es adecuado para el almacenamiento de datos, pero no se puede utilizar para la memoria activa.
La “memoria universal” es una memoria en la que los datos se almacenan de manera muy robusta, pero también se pueden cambiar fácilmente; algo que se consideraba inalcanzable hasta ahora.
El equipo de Lancaster ha resuelto la paradoja de la memoria universal explotando un efecto mecánico cuántico llamado túnel resonante que permite que una barrera cambie de opaco a transparente aplicando un pequeño voltaje.
Su nueva RAM no volátil, llamada ULTRARAM, es una implementación funcional de la llamada "memoria universal", que promete todas las ventajas de DRAM y flash, sin ninguno de los inconvenientes.
En su último trabajo, los investigadores han integrado dispositivos ULTRARAM en arreglos pequeños (de 4 bits) por primera vez. Esto les ha permitido verificar experimentalmente una arquitectura de memoria novedosa, pendiente de patente, que formaría la base del futuro ULTRARAM. memoria papas fritas.
También han modificado el diseño del dispositivo para aprovechar al máximo la física del túnel resonante, lo que da como resultado dispositivos que son 2,000 veces más rápidos que los primeros prototipos y con una resistencia al ciclo de programación/borrado que es al menos diez veces mejor que la del flash, sin ningún tipo de compromiso en la retención de datos.