ULTRARAM ha compiuto un passo avanti verso lo sviluppo con un esperimento riuscito dei fisici di Lancaster.
Il professor Manus Hayne, che sta guidando la ricerca, ha commentato: "Questi nuovi risultati confermano le sorprendenti proprietà di ULTRARAM, permettendoci di dimostrare il suo potenziale come memoria non volatile veloce ed efficiente con alta resistenza".
Attualmente, i due principali tipi di memoria, RAM dinamica (DRAM) e flash hanno caratteristiche e ruoli complementari:
- La DRAM è veloce, quindi utilizzata per la memoria attiva (di lavoro) ma è volatile, il che significa che le informazioni vengono perse quando viene tolta l'alimentazione. In effetti, la DRAM continuamente "dimentica" e deve essere costantemente aggiornata.
- Flash non è volatile, consente di portare i dati in tasca, ma è molto lento e si consuma. È adatto per l'archiviazione dei dati ma non può essere utilizzato per la memoria attiva.
La "memoria universale" è una memoria in cui i dati sono archiviati in modo molto robusto, ma possono anche essere facilmente modificati; qualcosa che è stato ampiamente considerato irrealizzabile fino ad ora.
Il team di Lancaster ha risolto il paradosso della memoria universale sfruttando un effetto meccanico quantistico chiamato tunneling risonante che consente una barriera al passaggio da opaco a trasparente applicando una piccola tensione.
La loro nuova RAM non volatile, chiamata ULTRARAM, è un'implementazione funzionante della cosiddetta "memoria universale", promettendo tutti i vantaggi di DRAM e flash, senza nessuno degli inconvenienti.
Nel loro ultimo lavoro, i ricercatori hanno integrato per la prima volta i dispositivi ULTRARAM in piccoli array (4 bit). Ciò ha permesso loro di verificare sperimentalmente una nuova architettura di memoria in attesa di brevetto che avrebbe costituito la base del futuro ULTRARAM memoria patatine fritte.
Hanno inoltre modificato il design del dispositivo per sfruttare appieno la fisica del tunneling risonante, ottenendo dispositivi 2,000 volte più veloci dei primi prototipi e con una resistenza al ciclo di programmazione/cancellazione almeno dieci volte migliore della memoria flash, senza alcun compromesso nella conservazione dei dati.