Primeiros passos em direção aos chips de memória ULTRARAM revolucionários

Atualização: 8 de dezembro de 2023

O ULTRARAM deu um passo em direção ao desenvolvimento com um experimento bem-sucedido dos físicos de Lancaster.

O professor Manus Hayne, que está liderando a pesquisa, comentou: “Esses novos resultados confirmam as propriedades surpreendentes do ULTRARAM, permitindo-nos demonstrar seu potencial como uma memória não volátil rápida e eficiente com alta resistência”.

Atualmente, os dois principais tipos de memória, RAM dinâmica (DRAM) e flash têm características e funções complementares:

  • DRAM é rápido, então usado para memória ativa (de trabalho), mas é volátil, o que significa que as informações são perdidas quando a energia é removida. Na verdade, a DRAM continuamente 'esquece' e precisa ser constantemente atualizada.
  • O Flash não é volátil, permitindo que você carregue dados no bolso, mas é muito lento e se desgasta. É adequado para armazenamento de dados, mas não pode ser usado para memória ativa.

“Memória universal” é uma memória onde os dados são armazenados de forma muito robusta, mas também podem ser facilmente alterados; algo que foi amplamente considerado como inatingível até agora.

A equipe de Lancaster resolveu o paradoxo da memória universal explorando um efeito mecânico quântico chamado tunelamento ressonante, que permite uma barreira para mudar de opaco para transparente aplicando uma pequena voltagem.

A sua nova RAM não volátil, chamada ULTRARAM, é uma implementação funcional da chamada “memória universal”, prometendo todas as vantagens da DRAM e flash, sem nenhuma das desvantagens.

Em seu trabalho mais recente, os pesquisadores integraram dispositivos ULTRARAM em pequenos arrays (4 bits) pela primeira vez. Isso permitiu que eles verificassem experimentalmente uma nova arquitetura de memória com patente pendente que formaria a base do futuro ULTRARAM memória salgadinhos.

Eles também modificaram o design do dispositivo para aproveitar ao máximo a física do tunelamento ressonante, resultando em dispositivos que são 2,000 vezes mais rápidos que os primeiros protótipos e com resistência ao ciclo de programação/apagamento que é pelo menos dez vezes melhor que o flash, sem qualquer comprometimento na retenção de dados.