ULTRARAM, Lancaster fizikçilerinin yaptığı başarılı bir deneyle gelişmeye bir adım daha yaklaştı.
Araştırmayı yöneten Profesör Manus Hayne şu yorumu yaptı: "Bu yeni sonuçlar, ULTRARAM'ın şaşırtıcı özelliklerini doğrulayarak, onun yüksek dayanıklılığa sahip, hızlı ve etkili, kalıcı bir bellek olma potansiyelini göstermemize olanak tanıyor."
Şu anda iki ana bellek türü, dinamik RAM (DRAM) ve flash, tamamlayıcı özelliklere ve rollere sahiptir:
- DRAM hızlıdır, dolayısıyla aktif (çalışan) bellek için kullanılır ancak geçicidir, yani güç kesildiğinde bilgiler kaybolur. Aslında DRAM sürekli olarak 'unutur' ve sürekli olarak yenilenmesi gerekir.
- Flash kalıcıdır, cebinizde veri taşımanıza olanak sağlar ancak çok yavaştır ve yıpranır. Veri depolama için çok uygundur ancak aktif hafıza için kullanılamaz.
“Evrensel bellek”, verilerin çok sağlam bir şekilde saklandığı, aynı zamanda kolaylıkla değiştirilebildiği bir bellektir; şimdiye kadar yaygın olarak ulaşılamaz olduğu düşünülen bir şey.
Lancaster ekibi, küçük bir voltaj uygulayarak bir bariyerin opak durumdan şeffaf duruma geçmesine izin veren, rezonans tünelleme adı verilen kuantum mekaniksel bir etkiden yararlanarak evrensel hafıza paradoksunu çözdü.
ULTRARAM olarak adlandırılan yeni kalıcı RAM'leri, "evrensel hafıza" olarak adlandırılan sistemin çalışan bir uygulamasıdır ve tüm avantajları vaat etmektedir. DRAM ve flaşın hiçbir dezavantajı yoktur.
Araştırmacılar son çalışmalarında ilk kez ULTRARAM cihazlarını küçük (4 bit) dizilere entegre ettiler. Bu, gelecekteki ULTRARAM'ın temelini oluşturacak yeni, patent bekleyen bir bellek mimarisini deneysel olarak doğrulamalarına olanak tanıdı. bellek yongaları.
Ayrıca cihaz tasarımını, rezonans tünelleme fiziğinin tüm avantajlarından yararlanacak şekilde değiştirerek, ilk prototiplerden 2,000 kat daha hızlı olan ve flaştan en az on kat daha iyi program/silme döngüsü dayanıklılığına sahip cihazlar ortaya çıkardılar. veri saklama konusunda uzlaşma.