ULTRARAM a fait un pas de plus vers le développement avec une expérience réussie des physiciens de Lancaster.
Le professeur Manus Hayne, qui dirige la recherche, a commenté: «Ces nouveaux résultats confirment les propriétés étonnantes d'ULTRARAM, nous permettant de démontrer son potentiel en tant que mémoire non volatile rapide et efficace à haute endurance.»
Actuellement, les deux principaux types de mémoire, la RAM dynamique (DRAM) et le flash ont des caractéristiques et des rôles complémentaires:
- La DRAM est rapide, donc utilisée pour la mémoire active (de travail), mais elle est volatile, ce qui signifie que les informations sont perdues lorsque l'alimentation est coupée. En effet, la DRAM «oublie» continuellement et doit être constamment rafraîchie.
- Flash est non volatile, vous permettant de transporter des données dans votre poche, mais il est très lent et s'use. Il est bien adapté pour le stockage de données mais ne peut pas être utilisé pour la mémoire active.
La «mémoire universelle» est une mémoire dans laquelle les données sont stockées de manière très robuste, mais peuvent également être facilement modifiées; quelque chose qui était largement considéré comme irréalisable jusqu'à présent.
L'équipe de Lancaster a résolu le paradoxe de la mémoire universelle en exploitant un effet de mécanique quantique appelé tunnel résonnant qui permet une barrière au passage de l'opaque au transparent en appliquant une petite tension.
Leur nouvelle RAM non volatile, appelée ULTRARAM, est une implémentation fonctionnelle de ce que l'on appelle la « mémoire universelle », promettant tous les avantages de DRAM et flash, sans aucun des inconvénients.
Dans leurs derniers travaux, les chercheurs ont intégré pour la première fois des dispositifs ULTRARAM dans de petites baies (4 bits). Cela leur a permis de vérifier expérimentalement une nouvelle architecture de mémoire en instance de brevet qui formerait la base du futur ULTRARAM. Mémoire chips.
Ils ont également modifié la conception de l'appareil pour tirer pleinement parti de la physique du tunnel de résonance, ce qui a abouti à des appareils 2,000 XNUMX fois plus rapides que les premiers prototypes, et avec une endurance de cycle de programmation/effacement au moins dix fois supérieure à celle du flash, sans aucun problème. compromis dans la conservation des données.