#BSM50GD120DN2E3226 Infineon BSM50GD120DN2E3226 Nuevo IGBT Módulos N-CH 1.2KV 50A, imágenes BSM50GD120DN2E3226, precio BSM50GD120DN2E3226, proveedor # BSM50GD120DN2E3226
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto:IGBT Módulos
Producto:IGBT Módulos de silicio
Configuración: Hexagonal
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua de colector a 25 C: 50 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 200 nA
Pd - Disipación total: 350 W
Paquete / Caja: EconoPACK 2
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Embalaje: bandeja
Altura: 17 mm
Longitud: 107.5 mm
Ancho: 45.5 mm
Marca: Infineon Technologies
Estilo de montaje: montaje en chasis
Voltaje máximo del emisor de puerta: 20 V
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei inspeccionó cada BSM50GD120DN2E3226 antes del envío, todos los BSM50GD120DN2E3226 con 6 meses de garantía.