#BSM50GD120DN2E3226 Infineon BSM50GD120DN2E3226 Mới IGBT Mô-đun N-CH 1.2KV 50A, hình ảnh BSM50GD120DN2E3226, giá BSM50GD120DN2E3226, nhà cung cấp # BSM50GD120DN2E3226
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Nhà sản xuất: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm:IGBT Modules
Sản phẩm:IGBT Mô-đun silicon
Cấu hình: Hex
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 50 A
Cổng rò rỉ hiện tại: 200 nA
Pd - Công suất tiêu tán: 350 W
Gói / Trường hợp: EconoPACK 2
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
Bao bì: Khay
Chiều cao: 17 mm
Thời lượng: 107.5 mm
công nghệ: Si
Chiều rộng: 45.5 mm
Thương hiệu: Infineon Technologies
Kiểu lắp: Gắn khung
Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V
Mô-đun IGBT N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM50GD120DN2E3226 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM50GD120DN2E3226 với bảo hành 6 tháng.