#BSM50GD120DN2E3226 インフィニオンBSM50GD120DN2E3226新規 IGBT モジュール N-CH 1.2KV 50A、BSM50GD120DN2E3226 写真、BSM50GD120DN2E3226 価格、#BSM50GD120DN2E3226 サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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メーカー：インフィニオン
製品カテゴリ：IGBT モジュール
製品：IGBT シリコンモジュール
構成：XNUMX進数
コレクター-エミッター 電圧 VCEO最大：1200 V
コレクター-エミッターの飽和 電圧：2.5 V
25 C：50Aでの連続コレクタ電流
ゲート-エミッタリーク電流：200nA
Pd –消費電力：350 W
パッケージ/ケース：EconoPACK2
最高使用温度：+ 150 C
包装：トレイ
身長：17ミリ
長さ：107.5ミリ
テクノロジー：Si
幅：45.5ミリ
ブランド：インフィニオンテクノロジーズ
取り付けスタイル：シャーシマウント
最大ゲートエミッタ電圧：20V
IGBTモジュールN-CH1.2KV 50A
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM50GD120DN2E3226を検査し、すべてのBSM50GD120DN2E3226を6か月の保証付きで検査しました。