#БСМ50ГД120ДН2Э3226 Infineon BSM50GD120DN2E3226 Новый IGBT Модули N-CH 1.2KV 50A, BSM50GD120DN2E3226 картинки, BSM50GD120DN2E3226 цена, # BSM50GD120DN2E3226 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Производитель: Infineon
Категория продукта:IGBT Модули
Product:IGBT Силиконовые модули
Конфигурация: шестигранник
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 В
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 В
Постоянный ток коллектора при 25 C: 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 350 Вт
Упаковка / коробка: EconoPACK 2
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Упаковка: лоток
Высота: 17 мм
Длина: 107.5 мм
technology: Si
Ширина: 45.5 мм
Торговая марка: Infineon Technologies
Тип монтажа: Крепление на шасси
Макcимально допустимое напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Модули IGBT N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei проверил все BSM50GD120DN2E3226 перед отправкой, все BSM50GD120DN2E3226 с 6-месячной гарантией.