#BSM50GD120DN2E3226 Infineon BSM50GD120DN2E3226 Nieuw IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A, BSM50GD120DN2E3226 foto's, BSM50GD120DN2E3226 prijs, #BSM50GD120DN2E3226 leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Fabrikant: Infineon
Product categorie:IGBT Modules
Artikel:IGBT Silicium modules
Configuratie: Hex
Collector-zender spanning VCEO Max: 1200 V
Verzamelaar-emitterverzadiging spanning:2.5 V
Continue collectorstroom bij 25 C: 50 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 200 nA
Pd - Vermogensverlies: 350 W
Verpakking / doos: EconoPACK 2
Maximale bedrijfstemperatuur: + 150 C
Verpakking: dienblad
Hoogte: 17 mm
Lengte: 107.5 mm
technologie:Si
Breedte: 45.5 mm
Merk: Infineon Technologies
Montagestijl: chassismontage
Maximale gate-emitterspanning: 20 V.
IGBT-modules N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei inspecteerde elke BSM50GD120DN2E3226 vóór verzending, alle BSM50GD120DN2E3226 met 6 maanden garantie.