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El mitsubishi CM150MXUD-24T es un poder módulo comúnmente utilizado en motores de alta potencia, fuentes de alimentación y equipos de soldadura. Está diseñado para proporcionar alto rendimiento y confiabilidad con baja pérdida de energía. Estas son algunas de las características y especificaciones clave del módulo CM150MXUD-24T:
Características:
Configuración de diodo dual para menor pérdida de conmutación y mayor eficiencia.
Termistor integrado para control de temperatura y protección contra sobrecalentamiento.
Terminales de lengüeta niquelados para mejorar la conectividad.
Cumple con la directiva RoHS.
Caracteristicas:
Colector de corriente (IC): 150 A
Colector-emisor voltaje (VCES): 1200V
Temperatura máxima de unión (Tvj max): 175°C
Configuración: interruptor doble (medio puente)
Aplicaciones: control de motores de CA, control de movimiento/servo, fuente de alimentación, etc.
Opción: aplicación previa de PC-TIM (material de interfaz térmica de cambio de fase)
Máximos ratings:
VCES (Colector-emisor voltaje, GE en cortocircuito): 1200V
VGES (voltaje de emisor de puerta, CE en cortocircuito): ± 20 V
IC (Corriente de colector, DC, TC=145°C): 150A
ICRM (Pulso, Repetitivo): 300A
Pt ot (Disipación de potencia total, TC=25°C): 1610W
Visol (Tensión de aislamiento, Terminales a placa base, RMS, f=60Hz, AC 1 min): 4000V
Tvj max (Temperatura máxima de unión, Evento instantáneo (sobrecarga)): 175°C
Tc max (Temperatura máxima de la caja): 150°C
Tvj op (temperatura de unión operativa, operación continua (bajo conmutación)): -40 ~ +150 °C
Tstg (Temperatura de almacenamiento): -40 ~ +150°C
Características Eléctricas (Tv j=25°C, a menos que se especifique lo contrario):
ICES (Corriente de corte de colector-emisor, VCE=VCES, GE en cortocircuito): 1.0 mA
IGES (Corriente de fuga del emisor de compuerta, VGE=VGES, CE en cortocircuito): 0.5 μA
VG (th) (voltaje de umbral de emisor de puerta, IC = 15 mA, VCE = 10 V): 5.4 ~ 6.6 V
trr (tiempo de recuperación inversa): 400ns
Qrr (carga de recuperación inversa): 15 μC
CEon (energía de conmutación de encendido por pulso): 11.6 mJ
CEoff (energía de conmutación de apagado por pulso): 15.7 mJ
Err (energía de recuperación inversa por pulso): 6.8 mJ
RCC'+EE' (Resistencia interna del cable, Terminales principales-chip, por interruptor, TC=25°C): 0.2 mΩ
rg (resistencia de puerta interna, por interruptor): 3.0 Ω
Características mecánicas:
Par de montaje (terminales principales tornillo M5): 2.5 ~ 3.5 N·m
Par de montaje (montaje en tornillo M6 del disipador de calor): 3.5 ~ 4.5 N·m
Distancia de fuga (terminal a terminal): 18.4 mm
Línea de fuga (terminal a placa base): 21.1 mm
Espacio libre (terminal a terminal): 9.6 mm
Espacio libre (terminal a placa base): 16.7 mm
Planitud de la placa base (en la línea central): ±0 ~ +200 μm
Tenga en cuenta que estas especificaciones se basan en los valores y condiciones dados