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Le Mitsubishi CM150MXUD-24T est une puissance module couramment utilisé dans les entraînements de moteur haute puissance, les alimentations électriques et les équipements de soudage. Il est conçu pour offrir des performances et une fiabilité élevées avec une faible perte de puissance. Voici quelques caractéristiques et spécifications clés du module CM150MXUD-24T :
Caractéristiques :
Configuration à double diode pour une perte de commutation réduite et une efficacité améliorée.
Thermistance intégrée pour la surveillance de la température et la protection contre la surchauffe.
Bornes à languettes nickelées pour une connectivité améliorée.
Conforme à la directive RoHS.
Spécifications :
Courant de collecteur (IC) : 150A
Collecteur-émetteur Tension (VCES) : 1200 V
Température maximale de jonction (Tvj max) : 175°C
Configuration : commutateur double (demi-pont)
Applications : contrôle de moteur AC, contrôle de mouvement/servo, alimentation, etc.
Option : pré-application de PC-TIM (Phase Change Thermal Interface Material)
Notes maximales:
VCES (Collecteur-émetteur Tension, GE court-circuité): 1200V
VGES (Tension porte-émetteur, CE en court-circuit) : ±20V
IC (Courant de collecteur, DC, TC=145°C) : 150A
ICRM (impulsion, répétitif) : 300 A
Pt ot (Puissance dissipée totale, TC=25°C) : 1610W
Visol (Tension d'isolement, Bornes à plaque de base, RMS, f=60Hz, AC 1 min): 4000V
Tvj max (température de jonction maximale, événement instantané (surcharge)) : 175 °C
Tc max (température maximale du boîtier) : 150°C
Tvj op (température de jonction de fonctionnement, fonctionnement continu (sous commutation)) : -40 ~ +150°C
Tstg (Température de stockage): -40 ~ +150°C
Caractéristiques électriques (Tv j=25°C, sauf indication contraire) :
ICES (Courant de coupure collecteur-émetteur, VCE=VCES, GE en court-circuit) : 1.0 mA
IGES (Courant de fuite grille-émetteur, VGE=VGES, CE en court-circuit) : 0.5 μA
VG(th) (Tension de seuil porte-émetteur, IC=15mA, VCE=10V): 5.4 ~ 6.6V
trr (temps de récupération inverse): 400ns
Qrr (charge de récupération inverse) : 15 μC
CEon (énergie de commutation d'activation par impulsion) : 11.6 mJ
CEoff (énergie de commutation d'arrêt par impulsion) : 15.7 mJ
Err (énergie de récupération inverse par impulsion) : 6.8 mJ
RCC'+EE' (résistance de câble interne, puce de bornes principales, par interrupteur, TC=25 °C) : 0.2 mΩ
rg (résistance de grille interne, par interrupteur) : 3.0 Ω
Charactéristiques mécaniques:
Couple de montage (bornes principales vis M5) : 2.5 ~ 3.5 N·m
Couple de montage (montage sur dissipateur thermique vis M6) : 3.5 ~ 4.5 N·m
Ligne de fuite (borne à borne) : 18.4 mm
Ligne de fuite (borne à plaque de base) : 21.1 mm
Dégagement (borne à borne) : 9.6 mm
Dégagement (borne à plaque de base) : 16.7 mm
Planéité de la plaque de base (sur la ligne centrale) : ±0 ~ +200μm
Veuillez noter que ces spécifications sont basées sur les valeurs et conditions données