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Il Mitsubishi CM150MXUD-24T è un potere modulo comunemente utilizzato in azionamenti di motori ad alta potenza, alimentatori e apparecchiature di saldatura. È progettato per fornire prestazioni elevate e affidabilità con una bassa perdita di potenza. Ecco alcune caratteristiche e specifiche principali del modulo CM150MXUD-24T:
Caratteristiche:
Configurazione a doppio diodo per una minore perdita di commutazione e una migliore efficienza.
Termistore integrato per il monitoraggio della temperatura e la protezione contro il surriscaldamento.
Terminali a linguetta nichelati per una migliore connettività.
Conforme alla direttiva RoHS.
Specifiche tecniche:
Corrente di collettore (IC): 150 A
Collettore-emettitore voltaggio (VCE): 1200V
Temperatura massima di giunzione (Tvj max): 175°C
Configurazione: doppio interruttore (mezzo ponte)
Applicazioni: controllo motore CA, controllo movimento/servo, alimentazione, ecc.
Opzione: pre-applicazione PC-TIM (Phase Change Thermal Interface Material).
Valutazioni massime:
VCES (collettore-emettitore voltaggio, GE in cortocircuito): 1200V
VGES (Tensione gate-emettitore, CE in cortocircuito): ±20V
IC (Corrente collettore, DC, TC=145°C): 150A
ICRM (impulso, ripetitivo): 300A
Pt ot (Potenza dissipata totale, TC=25°C): 1610W
Visol (tensione di isolamento, terminali alla piastra base, RMS, f=60Hz, AC 1 min): 4000V
Tvj max (Massima temperatura di giunzione, Evento istantaneo (sovraccarico)): 175°C
Tc max (temperatura massima cassa): 150°C
Tvj op (Temperatura di giunzione operativa, Funzionamento continuo (sotto commutazione)): -40 ~ +150°C
Tstg (Temperatura di stoccaggio): -40 ~ +150°C
Caratteristiche elettriche (Tv j=25°C, se non diversamente specificato):
ICES (corrente di interruzione collettore-emettitore, VCE=VCES, GE in corto circuito): 1.0 mA
IGES (corrente di dispersione gate-emettitore, VGE=VGES, CE in corto circuito): 0.5μA
VG(th) (tensione di soglia gate-emettitore, IC=15mA, VCE=10V): 5.4 ~ 6.6V
trr (tempo di recupero inverso): 400ns
Qrr (carica di recupero inverso): 15μC
CEon (energia di commutazione all'accensione per impulso): 11.6 mJ
CEoff (energia di commutazione spegnimento per impulso): 15.7 mJ
Err (energia di recupero inverso per impulso): 6.8 mJ
RCC'+EE' (resistenza conduttore interno, chip terminali principali, per interruttore, TC=25°C): 0.2 mΩ
rg (resistenza gate interna, per interruttore): 3.0Ω
Caratteristiche meccaniche:
Coppia di montaggio (vite M5 terminali principali): 2.5 ~ 3.5 N·m
Coppia di montaggio (montaggio su vite M6 del dissipatore di calore): 3.5 ~ 4.5 N·m
Distanza di fuga (da terminale a terminale): 18.4 mm
Creepage (dal terminale alla piastra di base): 21.1 mm
Gioco (da terminale a terminale): 9.6 mm
Distanza (dal terminale alla piastra di base): 16.7 mm
Planarità della piastra di base (sulla linea centrale): ±0 ~ +200μm
Si noti che queste specifiche si basano sui valori e sulle condizioni indicati