#RQ3E150BN ROHM RQ3E150BN Nuevo efecto de campo de potencia Transistor, 15A I (D), 30V, 0.0074ohm, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, SIN HALÓGENOS Y CUMPLE CON ROHS, HSMT8, 8 PIN, imágenes RQ3E150BN, precio RQ3E150BN, proveedor # RQ3E150BN
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rq3e150bn.html
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Número de pieza del fabricante: RQ3E150BNTB
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-F5
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 1.65
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 15 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0074 Ω
FET Tecnología: SEMICONDUCTOR DE ÓXIDO DE METAL
Código JESD-30: R-PDSO-F5
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 5
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 60 A
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 15A I (D), 30V, 0.0074ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, SIN HALÓGENOS Y CUMPLE CON ROHS, HSMT8, 8 PIN
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-F5
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ROHM Semiconductores
Rango de riesgo: 1.65
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 15 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.0074 Ω
FET Tecnología: SEMICONDUCTOR DE ÓXIDO DE METAL
Código JESD-30: R-PDSO-F5
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 5
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 60 A
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de potencia, 15A I (D), 30V, 0.0074ohm, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, SIN HALÓGENOS Y CUMPLE CON ROHS, HSMT8, 8 PIN