ROHM RQ3E150BN Op voorraad

#RQ3E150BN ROHM RQ3E150BN Nieuw energieveldeffect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0074ohm, 1-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide Halfgeleider FET, HALOGEENVRIJ EN ROHS COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN, RQ3E150BN foto's, RQ3E150BN prijs, #RQ3E150BN leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/rq3e150bn.html

-----------------------

Artikelnummer fabrikant: RQ3E150BNTB
Rohs-code: Ja
Code deel levenscyclus: actief
Ihs Fabrikant: ROHM CO LTD
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-PDSO-F5
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: ROHM Halfgeleider
Risicorang: 1.65
Behuizingsaansluiting: DRAIN
Configuratie: ENKEL MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (ID): 15 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.0074 Ω
FET Technologie: METAAALOXIDE HALFGELEIDER
JESD-30-code: R-PDSO-F5
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 1
Aantal terminals: 5
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Pakket Lichaamsmateriaal: PLASTIC / EPOXY
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (Cel): NIET GESPECIFICEERD
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 60 A
Opbouwmontage: JA
Terminalvorm: FLAT
Eindpositie: DUAL
Tijd
Vermogensveldeffecttransistor, 15 A I(D), 30 V, 0.0074 ohm, 1-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide-halfgeleider FET, HALOGEENVRIJ EN ROHS-COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN