#RQ3E150BN ROHM RQ3E150BN Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 15 A I(D), 30 V, 0.0074 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, HSMT8, 8 broches, images RQ3E150BN, prix RQ3E150BN, fournisseur #RQ3E150BN
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/rq3e150bn.html
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Numéro de pièce du fabricant: RQ3E150BNTB
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant : ROHM CO LTD
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-F5
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 1.65
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 15 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0074 Ω
FET Technologie: SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE
Code JESD-30 : R-PDSO-F5
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 5
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme du paquet : RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 60 A
Montage en surface: OUI
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 15 A I(D), 30 V, 0.0074 ohm, 1 élément, canal N, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, HSMT8, 8 broches
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: actif
Fabricant : ROHM CO LTD
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-F5
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ROHM Semi-conducteurs
Classement de risque: 1.65
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de drain-Max (ID): 15 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.0074 Ω
FET Technologie: SEMI-CONDUCTEUR MÉTAL-OXYDE
Code JESD-30 : R-PDSO-F5
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 5
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme du paquet : RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 60 A
Montage en surface: OUI
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 15 A I(D), 30 V, 0.0074 ohm, 1 élément, canal N, silicium, semi-conducteur à oxyde métallique FET, SANS HALOGÈNE ET CONFORMITÉ ROHS, HSMT8, 8 broches