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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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no recomendado para nuevos diseños Características: Canal N, estructura de silicio homogénea (NPT, IGBT sin perforación) Baja corriente de cola con baja dependencia de la temperatura Alta capacidad de cortocircuito, autolimitante si hay término. G está fijado a E Pos. temp.-coef. de V CEsat Muy bajo C ies , C oes , C res Sin enganche Diodos CAL inversos rápidos y suaves Cobre aislado Unión Tecnología sin molde duro Grandes espacios libres (10 mm) y distancias de fuga (20 mm) Aplicaciones típicas: Conmutación (no para uso lineal) Fuentes de alimentación de modo conmutado UPS Inversores trifásicos para control de velocidad de motor servo/CA Frecuencias de pulso también superiores a 10 kHz SKM100GB063D
Matriz IGBT y módulo Transistor Dual N Channel 130 A 2.1 V 600 V Module
Shunlongwei inspeccionó cada SKM100GB063D antes del envío, todos los SKM100GB063D con 6 meses de garantía.