-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
niet aanbevolen voor nieuwe ontwerpen Kenmerken: N-kanaal, homogene siliciumstructuur (NPT-non punch through IGBT) Lage staartstroom met lage temperatuurafhankelijkheid Hoog kortsluitvermogen, zelfbegrenzend als term. G wordt op E Pos geklemd. temp.-coëff. van V CEsat Zeer lage C ies, Coes, C res Latch-up-vrij Snelle en zachte inverse CAL-diodes Geïsoleerd koper Bonding Technologie zonder harde mal Grote speling (10 mm) en kruipwegen (20 mm) Typische toepassingen: Schakelen (niet voor lineair gebruik) Geschakelde voedingen UPS Driefasige omvormers voor servo-/AC-motorsnelheidsregeling Pulsfrequenties ook boven 10 kHz SKM100GB063D
IGBT-array en module Transistor Dubbel N-kanaal 130 A 2.1 V 600 V-module
Shunlongwei inspecteerde elke SKM100GB063D vóór verzending, alle SKM100GB063D met 6 maanden garantie.