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non recommandé pour les nouvelles conceptions Caractéristiques : Canal N, structure homogène en silicium (NPT - IGBT non perforé) Faible courant de queue avec faible dépendance à la température Capacité élevée de court-circuit, auto-limitation si terme. G est serré sur E Pos. temp.-coeff. de V CEsat Très faibles C ies , C oes , C res Sans verrouillage Diodes CAL inverses rapides et douces Cuivre isolé Liaison Technologie sans moule dur Grand jeu (10 mm) et lignes de fuite (20 mm) Applications typiques : Commutation (pas pour une utilisation linéaire) Alimentations à découpage UPS Onduleurs triphasés pour le contrôle de la vitesse des servomoteurs / moteurs AC Fréquences d'impulsion également supérieures à 10 kHz SKM100GB063D
IGBT Array & Module Transistor Dual N Channel 130 A 2.1 V 600 V Module
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