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non consigliato per nuovi progetti Caratteristiche: Canale N, struttura omogenea del silicio (NPT- Non punch through IGBT) Bassa corrente di coda con bassa dipendenza dalla temperatura Elevata capacità di cortocircuito, autolimitante se term. G è bloccato su E Pos. temp.-coeff. di V CEsat Molto basso C ies , C oes , C res Senza latch-up Diodi CAL inversi veloci e morbidi Rame isolato Collegamento Tecnologia senza stampo rigido Grandi distanze (10 mm) e superficiali (20 mm) Applicazioni tipiche: Commutazione (non per uso lineare) Alimentatori a commutazione UPS Inverter trifase per controllo velocità servo/motore CA Frequenze di impulsi anche superiori a 10 kHz SKM100GB063D
Modulo IGBT Array e Transistor Dual N Channel 130 A 2.1 V 600 V Module
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