セミクロンSKM100GB063D在庫あり

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新しい設計には推奨されません 特徴: N チャネル、均質シリコン構造 (NPT- 非パンチスルー IGBT) 温度依存性が低い低いテール電流 高い短絡能力、期間があれば自己制限。 G は E 位置にクランプされます。 温度係数V CEsat の非常に低い C ies 、 C oes 、 C res ラッチアップなし 高速およびソフト逆 CAL ダイオード 絶縁銅ボンディング テクノロジー ハードモールドなし 大きなクリアランス (10 mm) および沿面距離 (20 mm) 一般的な用途: スイッチング (リニア用途ではない) スイッチモード電源 UPS サーボ / AC モーター速度制御用の三相インバーター パルス周波数も 10 kHz 以上 SKM100GB063D

IGBTアレイおよびモジュールトランジスタデュアルNチャネル130A 2.1 V 600Vモジュール