Semikron SKM100GB063D em estoque

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Email: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/skm100gb063d.html

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não recomendado para novos projetos Características: Canal N, estrutura de silício homogênea (NPT - IGBT sem perfuração) Baixa corrente de cauda com baixa dependência de temperatura Alta capacidade de curto-circuito, autolimitada se termo. G é fixado em E Pos. coeficiente de temperatura. de V CEsat C ies, C oes, C res muito baixos Sem travamento Diodos CAL inversos rápidos e suaves Ligação de cobre isolada Equipar sem molde duro Grande folga (10 mm) e distâncias de fuga (20 mm) Aplicações típicas: Comutação (não para uso linear) Fontes de alimentação comutadas UPS Inversores trifásicos para controle de velocidade do motor servo/CA Frequências de pulso também acima de 10 kHz SKM100GB063D

Matriz IGBT e Módulo Transistor Dual N Channel 130 A 2.1 V 600 V Módulo