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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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SKM200GB12V
Caracteristicas
• V-IGBT = 6. Generación Trench V-IGBT
(Fuji)
• CAL4 = Conmutación suave 4. Generación
Diodo CAL
• Placa de base de cobre aislada con DBC
la tecnología (Unión directa de cobre)
• Reconocido por UL, archivo no. E63532
• Mayor capacidad de ciclo de potencia
• Con puerta integrada Resistencia
• Pérdidas de conmutación bajas a di / dt altas
Aplicaciones Típicas*
• Convertidores de frecuencia de CA
• UPS
• Electronic soldadores
observaciones
• Temperatura de la caja limitada a
Tc = 125 ° C máx., Recom.
Arriba = -40… + 150 ° C, producto
rel. resultados válidos para Tj = 150 °
Calificaciones y características máximas
.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)
Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V
Emisor de puerta voltaje VGES: ± 20 V
Corriente del colector IC: 200A
Corriente de colector Icp: 600A
Voltaje colector-emisor VCES: 4000V
Par de apriete del tornillo de montaje 3.5 * 1 N · m
Módulo IGBT Módulo IGBT Trans N-CH 1200V 600A 7-Pin
Shunlongwei inspeccionó cada SKM200GB12V antes del envío, todos los SKM200GB12V con 6 meses de garantía.