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SKM200GB12V
Caratteristiche
• V-IGBT = 6. Fossa di generazione V-IGBT
(Fuji)
• CAL4 = Soft switching 4. Generazione
Diodo CAL
• Piastra base in rame isolata utilizzando DBC
la tecnologia (Incollaggio diretto del rame)
• Riconoscimento UL, file n. E63532
• Maggiore capacità di ciclo di alimentazione
• Con cancello integrato Resistore
• Basse perdite di commutazione ad alti di / dt
Applicazioni tipiche*
• Convertitori di frequenza CA.
•UPS
· XNUMX€ Elettronico saldatori
Commento
• Temperatura della cassa limitata a
Tc = 125 ° C max, consigliato
Superiore = -40 ... + 150 ° C, prodotto
rel. risultati validi per Tj = 150 °
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Porta-emettitore voltaggio VGES: ± 20 V.
Corrente del collettore IC: 200A
Corrente di collettore Icp: 600A
Tensione collettore-emettitore VCES: 4000V
Coppia delle viti di montaggio 3.5 * 1 N · m
Modulo IGBTTrans Modulo IGBT N-CH 1200V 600A 7 pin
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