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Courriel: sales@shunlongwei.com
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SKM200GB12V
Fonctionnalités:
• V-IGBT = 6. Génération Tranchée V-IGBT
(Fuji)
• CAL4 = commutation douce 4. Génération
Diode CAL
• Plaque de base en cuivre isolée utilisant DBC
sans souci (Liaison directe au cuivre)
• Reconnu UL, fichier no. E63532
• Augmentation de la capacité de cyclage de puissance
• Avec portail intégré Resistor
• Faibles pertes de commutation à di / dt élevé
Applications typiques*
• Variateurs AC
•UPS
• Electronique soudeurs
Remarques
• Température du boîtier limitée à
Tc = 125 ° C max, recommand.
Dessus = -40… + 150 ° C, produit
rel. résultats valides pour Tj = 150 °
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Porte-émetteur Tension VGES: ± 20 V
Courant de collecteur IC: 200A
Courant de collecteur Icp: 600A
Tension collecteur-émetteur VCES: 4000V
Couple de serrage de la vis de montage 3.5 * 1 N · m
Module IGBT Module Trans IGBT N-CH 1200V 600A 7 broches
Shunlongwei a inspecté chaque SKM200GB12V avant l'expédition, tous les SKM200GB12V avec une garantie de 6 mois.