#SKM200GB12V 세미 크론 SKM200GB12V 새로운 IGBT 모듈트랜스 IGBT 모듈 N-CH 1200V 600A 7핀, SKM200GB12V 사진, SKM200GB12V 가격, #SKM200GB12V 공급업체
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SKM200GB12V
특징
• V-IGBT = 6. 트렌치 V-IGBT 세대
(후지)
• CAL4 = 소프트 스위칭 4. 생성
CAL 다이오드
• DBC를 사용하는 절연 된 구리베이스 플레이트
technology (직접 구리 본딩)
• UL 인증, 파일 번호. E63532
• 증가 된 전력 순환 기능
• 통합 게이트 포함 저항기
• 높은 di / dt에서 낮은 스위칭 손실
일반적인 응용 프로그램 *
• AC 인버터 드라이브
•UPS
• 전자 용접기
비고
• 케이스 온도 제한
Tc = 최대 125 ° C, 권장.
상단 = -40… + 150 ° C, 제품
rel. Tj = 150 °에 유효한 결과
최대 등급 및 특성
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
수집기 방출기 전압 Vces : 1200V
게이트 방출기 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 200A
콜렉터 전류 Icp : 600A
Collector-Emitter 전압 VCES : 4000V
장착 나사 토크 3.5 * 1 N · m
IGBT ModuleTrans IGBT 모듈 N-CH 1200V 600A 7 핀
Shunlongwei는 배송 전에 모든 SKM200GB12V, 200 개월 보증으로 모든 SKM12GB6V를 검사했습니다.