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Email: sales@shunlongwei.com
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SKM200GB12V
Funcionalidades
• V-IGBT = 6. Trincheira de Geração V-IGBT
(Fuji)
• CAL4 = comutação suave 4. Geração
CAL-diodo
• Placa de base de cobre isolada usando DBC
tecnologia (Ligação direta de cobre)
• UL reconhecido, arquivo no. E63532
• Maior capacidade de ciclagem de energia
• Com portão integrado Resistor
• Baixas perdas de comutação em alto di / dt
Aplicações típicas *
• Inversores CA
•UPS
. Eletrônico soldadores
Observações
• Temperatura da caixa limitada a
Tc = 125 ° C max, recomendado.
Topo = -40… + 150 ° C, produto
rel. resultados válidos para Tj = 150 °
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Emissor de porta Voltagem VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 200A
Corrente do coletor Icp: 600A
Tensão do coletor-emissor VCES: 4000V
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m
Módulo IGBT ModuleTrans IGBT N-CH 1200V 600A 7 pinos
Shunlongwei inspecionou cada SKM200GB12V antes do navio, todos SKM200GB12V com garantia de 6 meses.