#SKM200GB12V セミクロン SKM200GB12V 新品 IGBT モジュールトランス IGBT モジュール N-CH 1200V 600A 7 ピン、SKM200GB12V 写真、SKM200GB12V 価格、#SKM200GB12V サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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SKM200GB12V
特徴
•V-IGBT = 6。ジェネレーショントレンチV-IGBT
（富士）
•CAL4 =ソフトスイッチング4.生成
CALダイオード
•DBCを使用した絶縁銅ベースプレート
テクノロジー （直接銅ボンディング）
•UL認定、ファイル番号E63532
•パワーサイクリング機能の向上
•統合ゲート付き 抵抗
•高いdi / dtでの低いスイッチング損失
代表的なアプリケーション*
•ACインバータードライブ
•UPS
• エレクトロニック 溶接機
備考
•ケース温度はに制限されています
Tc = 125°Cmax、推奨。
トップ= -40…+ 150°C、製品
rel。 Tj = 150°で有効な結果
最大定格と特性
。絶対最大定格（特に指定のない限り、Tc = 25°C）
コレクター-エミッター 電圧 Vces：1200V
ゲートエミッタ 電圧 VGES：±20V
コレクター電流 IC：200A
コレクタ電流Icp：600A
コレクタ-エミッタ間電圧VCES：4000V
取付ねじトルク3.5 * 1N・m
IGBTモジュールトランスIGBTモジュールN-CH1200V 600A7ピン
Shunlongweiは、出荷前にすべてのSKM200GB12Vを検査し、200か月の保証付きですべてのSKM12GB6Vを検査しました。