#STD13NM60N-H ST STD13NM60N-H Nuevo Transistor,mosfet, N-CANAL, 600V V (BR) DSS, 11A I (D), Imágenes TO-252AA, STD13NM60N-H, precio STD13NM60N-H, proveedor # STD13NM60N-H
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/std13nm60n-h.html
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Número de pieza del fabricante: STD13NM60N-H
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.84
Configuración: Individual
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 11 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 90 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño mate (Sn) - recocido
Transistor,mosfet,CANAL N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.84
Configuración: Individual
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 11 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 90 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: estaño mate (Sn) - recocido
Transistor,mosfet,CANAL N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA