#STD13NM60N-H ST STD13NM60N-H Novità Transistor,mosfet,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA, immagini STD13NM60N-H, prezzo STD13NM60N-H, fornitore #STD13NM60N-H
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/std13nm60n-h.html
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Codice articolo produttore: STD13NM60N-H
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Produttore: STMicroelecronics
Grado di rischio: 5.84
Configurazione: singola
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 11 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 90 W.
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno opaco (Sn) - ricotto
Transistor,mosfet,CANALE N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Produttore: STMicroelecronics
Grado di rischio: 5.84
Configurazione: singola
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 11 A
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 90 W.
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno opaco (Sn) - ricotto
Transistor,mosfet,CANALE N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA