#STD13NM60N-H ST STD13NM60N-H Mới Transistor,mosfet, N-CHANNEL, 600V V (BR) DSS, 11A I (D), TO-252AA, hình ảnh STD13NM60N-H, giá STD13NM60N-H, nhà cung cấp # STD13NM60N-H
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/std13nm60n-h.html
-----------------------
Mã bộ phận của nhà sản xuất: STD13NM60N-H
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: STMICROELECTRONICS
Nhà chế tạo: STMicro điện tửcs
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Cấu hình: Đơn
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 11 A
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 90 W
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc mờ (Sn) - ủ
Transistor,mosfet,KÊNH N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: STMICROELECTRONICS
Nhà chế tạo: STMicro điện tửcs
Xếp hạng rủi ro: 5.84
Cấu hình: Đơn
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 11 A
FET Công nghệ: METAL-OXIDE Semiconductor
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 150 ° C
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 90 W
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Thiếc mờ (Sn) - ủ
Transistor,mosfet,KÊNH N,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA