#STD13NM60N-H ST STD13NM60N-H Nieuw Transistor,mosfet,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA, STD13NM60N-H foto's, STD13NM60N-H prijs, #STD13NM60N-H leverancier
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/std13nm60n-h.html
-----------------------
Onderdeelnummer fabrikant: STD13NM60N-H
Rohs-code: Ja
Code deel levenscyclus: verouderd
Ihs Fabrikant: STMICROELECTRONICS
Fabrikant: STMicro-elektronischcs
Risicorang: 5.84
Configuratie: enkelvoudig
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 11 A
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 90 W
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: mat tin (Sn) - gegloeid
Transistor,mosfet,N-KANAAL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA
Rohs-code: Ja
Code deel levenscyclus: verouderd
Ihs Fabrikant: STMICROELECTRONICS
Fabrikant: STMicro-elektronischcs
Risicorang: 5.84
Configuratie: enkelvoudig
Afvoerstroom-Max (Abs) (ID): 11 A
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Max. Vermogensverlies (abs): 90 W
Subcategorie: FET General Purpose Power
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: mat tin (Sn) - gegloeid
Transistor,mosfet,N-KANAAL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA