#СТД13НМ60Н-Х ST STD13NM60N-H Новый Транзистор,MOSFET, N-CHANNEL, 600V V (BR) DSS, 11A I (D), TO-252AA, STD13NM60N-H картинки, цена STD13NM60N-H, # STD13NM60N-H поставщик
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/std13nm60n-h.html
-----------------------
Номер детали производителя: STD13NM60N-H
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: STMICROELECTRONICS
Производитель: STMicroelectronscs
Рейтинг риска: 5.84
Конфигурация: одиночный
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 11 A
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 90 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Конечная отделка: матовое олово (Sn) - отожженное
Транзистор,MOSFET,N-КАНАЛЬНЫЙ,600В В(БР)ДСС,11А И(Д),ТО-252АА
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Ihs Производитель: STMICROELECTRONICS
Производитель: STMicroelectronscs
Рейтинг риска: 5.84
Конфигурация: одиночный
Максимальный ток стока (Abs) (ID): 11 A
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД Полупроводниковое
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Полярность / Тип канала: N-CHANNEL
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 90 Вт
Подкатегория: FET General Purpose Power
Поверхностное крепление: ДА
Конечная отделка: матовое олово (Sn) - отожженное
Транзистор,MOSFET,N-КАНАЛЬНЫЙ,600В В(БР)ДСС,11А И(Д),ТО-252АА