SI4532ADY-T1-GE3
#SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 Nuevo SI4532ADY-T1-GE3 Efecto de campo de pequeña señal Transistor, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N y canal P, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, LIBRE DE HALÓGENOS Y CUMPLE CON ROHS, SOP-8; SI4532ADY-T1-GE3, imágenes SI4532ADY-T1-GE3, precio SI4532ADY-T1-GE3, proveedor # SI4532ADY-T1-GE3
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Número de parte del fabricante: SI4532ADY-T1-GE3
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Recuento de pines: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Rango de riesgo: 5.14
Configuración: SEPARADO, 2 ELEMENTOS CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 3.7 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.053 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 2
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: CANAL N Y CANAL P
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N y canal P, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, libre de halógenos y compatible con ROHS, SOP-8
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código del paquete de piezas: SOT
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G8
Recuento de pines: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Rango de riesgo: 5.14
Configuración: SEPARADO, 2 ELEMENTOS CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 30 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 3.7 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.053 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 2
Número de terminales: 8
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: CANAL N Y CANAL P
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: ESTAÑO MATE
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 3.7AI (D), 30V, 2 elementos, canal N y canal P, silicio, semiconductor de óxido metálico FET, libre de halógenos y compatible con ROHS, SOP-8
« KSC2316YTA VI-J70-IY »