SI4532ADY-T1-GE3
#SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 Nuovo SI4532ADY-T1-GE3 Effetto di campo a segnale ridotto Transistor, 3.7AI (D), 30 V, 2 elementi, canale N e canale P, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, HALOGEN FREE E CONFORME ROHS, SOP-8; SI4532ADY-T1-GE3, immagini SI4532ADY-T1-GE3, prezzo SI4532ADY-T1-GE3, fornitore #SI4532ADY-T1-GE3
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: SI4532ADY-T1-GE3
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Ihs Produttore: VISHAY SILICONIX
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Siliconix
Grado di rischio: 5.14
Configurazione: SEPARATO, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (ID): 3.7 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.053 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JESD-30: R-PDSO-G8
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 8
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità/Tipo di canale: CANALE N E CANALE P
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: LATTA OPACA
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
Transistor ad effetto di campo per piccoli segnali, 3.7AI(D), 30V, 2 elementi, canale N e canale P, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, SENZA ALOGENI E CONFORME A ROHS, SOP-8
Codice Pbfree: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: trasferito
Ihs Produttore: VISHAY SILICONIX
Codice pacchetto parte: SOT
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G8
Numero pin: 8
Codice ECCN: EAR99
Produttore: Vishay Siliconix
Grado di rischio: 5.14
Configurazione: SEPARATO, 2 ELEMENTI CON DIODO INCORPORATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 30 V
Scarico corrente-max (ID): 3.7 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.053 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JESD-30: R-PDSO-G8
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 8
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità/Tipo di canale: CANALE N E CANALE P
Stato della qualifica: non qualificato
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: LATTA OPACA
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
Transistor ad effetto di campo per piccoli segnali, 3.7AI(D), 30V, 2 elementi, canale N e canale P, silicio, semiconduttore a ossido di metallo FET, SENZA ALOGENI E CONFORME A ROHS, SOP-8
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