SI4532ADY-T1-GE3
#SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-GE3 Новый SI4532ADY-T1-GE3 малый полевой эффект сигнала Транзистор, 3.7AI (D), 30 В, 2-элементный, N-канал и P-канал, кремний, оксид металла Полупроводниковое FET, БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЮЩИМ ROHS, SOP-8; SI4532ADY-T1-GE3, SI4532ADY-T1-GE3 картинки, SI4532ADY-T1-GE3 цена, # SI4532ADY-T1-GE3 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Номер детали производителя: SI4532ADY-T1-GE3
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: перенесен
Ihs Производитель: VISHAY SILICONIX
Код упаковки детали: SOT
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G8
Количество контактов: 8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Vishay Siliconix
Рейтинг риска: 5.14
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (ID): 3.7 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.053 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JESD-30: R-PDSO-G8.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 8
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-КАНАЛ И P-КАНАЛ
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Малосигнальный полевой транзистор, 3.7AI (D), 30 В, 2-элементный, N-канал и P-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, без галогена и соответствующий требованиям ROHS, SOP-8
Код без содержания свинца: Да
Код жизненного цикла детали: перенесен
Ihs Производитель: VISHAY SILICONIX
Код упаковки детали: SOT
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G8
Количество контактов: 8
Код ECCN: EAR99
Производитель: Vishay Siliconix
Рейтинг риска: 5.14
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Разбивка DS напряжение-Мин .: 30 В
Максимальный ток стока (ID): 3.7 A
Макс. Сопротивление сток-источник: 0.053 Ом
FET Технологии: МЕТАЛЛООКСИД ПОЛУПРОВОДНИК
Код JESD-30: R-PDSO-G8.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 8
Режим работы: РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: N-КАНАЛ И P-КАНАЛ
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: МАТОВОЕ ОЛОВО
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Малосигнальный полевой транзистор, 3.7AI (D), 30 В, 2-элементный, N-канал и P-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, без галогена и соответствующий требованиям ROHS, SOP-8
« KSC2316YTA ВИ-J70-IY »